tracingadget
三星成功研发30纳米64Gb NAND闪存芯片
将文章归档于 PC周边 由. Jerry on 2007-10-24
三星成功研发30纳米64Gb NAND闪存芯片
三星电子（Samsung Electronics）今天宣布已经成功研发了技术更为先进的闪存芯片，它将主要用于音乐播放器等数字产品。据三星介绍，这颗64Gb NAND闪存芯片的宽度是30纳米（1纳米=10亿分之一米），而普通人头发丝的宽度也有80,000纳米。"采用这种芯片的设备是高密度闪存的存储解决方案研发的一个重大飞跃。"

三星是全球首家成功研制此类芯片的厂商，这种芯片的诞生标志着NAND闪存芯片的存储密度连续八年翻倍，在NAND闪存芯片中采用的纳米技术连续七年都有改进。去年三星曾推出了采用40纳米工艺的32Gb NAND闪存芯片。据悉，64Gb NAND闪存芯片采用更先进技术的芯片的功耗更低。一般来说，闪存芯片都会在数字音乐播放器、数码相机、手机中使用。

据三星发言人Chae Su-yeon透露，64Gb NAND闪存芯片将在2009年进行量产阶段。另外目前三星的大部分闪存芯片都仍采用50纳米制造工艺 via

Permalink: 三星成功研发30纳米64Gb NAND闪存芯片
Tags: 三星  30纳米  64GB  NAND  闪存芯片 
Trackback: http://publish.creative-weblogging.com/publish/mt-tb.pl/98361
img Addthis img Ask img Blinklist img del.icio.us img Digg img Fark img Facebook img Google img Lycos img Ma.gnolia Add this page to Mister Wong Mr Wong img Netscape img Netvousz img Newsvine img Reddit img StumbleUpon img Slashdot img Tailrank img Technorati img Wink img Yahoo

Vote for 三星成功研发30纳米64Gb NAND闪存芯片:

  • Currently 6.00/10
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
分值情况: 6.00 / 1 评分
订阅
Share It
查询我们其它的最新文章:
CW工具栏安设
RSSrss   | 所有的部落格订阅选择
Google google   |   什么是RSS?
Yodao Yodao
Netvibes Netvibes
AnothrAnothr
时事通讯

TwitterFollow us on Twitter!