十月 31, 2007
新代闪存提高1000倍性能
由. hhalloyy 将文章归档于 科技资讯
美国Arizona State University 亚利桑那州立大学研究出了一项叫做PMC的闪存技术。PMC即programmable metallization cell，能够提高目前Flash Momory闪存的效率性能到1000倍。此项提高效能和存储的技术替换目前闪存采用的电子存储方式为离子，而且采用此项技术的闪存并不会增加制造成本。预计将在18个月后能够把此项技术应用到市场产品中。via
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关键词:
闪存
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